紫外激光直寫光刻機

一、核心原理：無掩模直寫，高精度可控曝光

係統采用405nm 紫外激光為光源，結合聲光調製器與高精度振鏡協同控製，經高數值孔徑物鏡聚焦至光刻膠表麵；通過專用軟件導入設計圖形，直接轉化為激光掃描軌跡，逐點完成高精度曝光，全程無需掩模，大幅縮短研發周期、降低打樣成本。

二、核心優勢：精度、幅麵、適配性三位一體

1. 超高加工精度，亞微米級穩定輸出

• 最小線寬：0.25μm（250nm），滿足微納結構分辨率需求。

• 定位精度：XY 雙向重複定位精度≤120nm，最小移動步距≤50nm。

• 拚接精度：相鄰曝光區域拚接誤差≤150nm，大麵積加工無明顯接縫。

2. 大麵積加工，兼顧效率高

最大加工範圍可達48×48mm²，支持全域連續圖形製備；通過精密拚接技術，平衡大幅麵加工與亞微米級精度，適配微型顯示芯片等大麵積光電器件研發。

3. 超緊湊設計，適配手套箱惰性環境

機身一體化集成，體積小巧，可直接放入手套箱內，在氮氣、氬氣等恒定惰性氛圍中運行，有效隔絕水汽、氧氣幹擾，適配鈣鈦礦、二維材料等氛圍敏感材料的加工與測試場景。

4. 靈活高效，適配多場景研發需求

專用操作軟件支持圖形自由設計、修改與導入，兼容 GDS 等常用格式；支持多種曝光模式，兼顧科研小批量打樣與中試小批量生產，無需額外掩模製作，顯著縮短研發周期。

三、核心技術參數

四、典型應用場景

1. 光電器件研發：微型顯示芯片、LED、光電探測器、微透鏡陣列等微納結構圖形化製備。

2. 敏感材料研究：鈣鈦礦、二維材料、量子點等氛圍敏感材料的器件原型製備與工藝驗證。

3. MEMS 與傳感器：微機電係統、微電極、微流控芯片的高精度圖形加工。

4. 先進封裝：半導體先進封裝重分布層（RDL）、凸塊（Bumping）等環節圖案化。